参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPB18P06P G
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2290 [库存更新时间：2024-05-07]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	860pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds	60V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	28nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	18.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	130mΩ
栅极电压Vgs	-10V
Qg-栅极电荷	-21nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	81.1W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	SPB18P06
FET类型	P-Channel
宽度	9.25mm
正向跨导 - 最小值	5S
下降时间	11ns
上升时间	5.8ns
典型关闭延迟时间	25ns
典型接通延迟时间	12ns